为什么不把 L1 -L3 的缓存材料直接用于内存？

真空光速 也就是0.3米每纳秒

铜线介质光速大约是真空光速的一半，也就是150mm/ns。

某CPU频率3G，1ns能跑3条指令（单核）。

如果CPU到内存的导线距离100mm，假设内存调取数据不需要时间，CPU读数据不需要时间，电场在导线上过去，再回来，CPU已经执行了4条指令了。想要实现这个，CPU的流水线就要多4级。指令在第一拍读内存，假定在第四拍收到。才能继续后面的事。

那么把内存和CPU做到同一个晶圆上行吗？还是不行

因为L1是高速内存，高速的代价就是漏电多，功耗高。都放在CPU上，散热吃不住。甚至拿到现在内存的位置，发热估计还是吃不消，需要放到更远的位置，才能放下更多散热，但是导线也更长了，CPU要等的时间也更长了。并且不同内存的等待时间还不一致。

结果就是花了更多钱，代码执行速度反而更慢了。