三星、金士顿宣布SSD涨价，涨幅至少10%

SSD 的第二波涨价潮，已然来袭。

三星电子与金士顿已于本周双双向渠道商下发官方调价通知，旗下 SSD 全系列产品涨幅均不低于 10%，即刻生效。

这是 4 月内存储大厂发起的第二波集中涨价。本月初，三星与西部数据已悄然将部分高端 M.2 SSD 价格上调近两倍，部分市场 8TB 旗舰盘标价一度突破 4000 美元。

如今新旧两轮涨价叠加，零售端价格彻底被推至历史最高位。落到具体型号上，三星 990 PRO 1TB 目前海外售价约 300-330 美元，此轮上调 10% 后将冲击 330-360 美元。去年同款产品售价还不到 100 美元，如今已暴涨 3 至 4 倍。国内方面，常规国产 PCIe 4.0 1TB 固态硬盘价格已攀升至约 900 元，2TB 型号约 1500 元。

由于三星与金士顿在行业内的主导地位，其价格信号往往对整个市场形成示范效应，预计其他厂商的跟涨动作在未来数周内将逐步落地。

推动此轮涨价的核心驱动力仍然是上游 NAND 闪存颗粒成本持续升温。

据 TrendForce 最新预估，2026 年第二季度 NAND Flash 合约价将环比再增 70% 至 75%，DRAM 合约价也将季增 58% 至 63%。TrendForce 还指出，市场买家普遍预期客户端 SSD 价格仍有进一步上涨空间，即便目前 PC 端需求尚未出现明显复苏。此外，买家担忧服务器端需求可能吸收现有产能，由此推动市场积极回补库存，进一步加剧供需紧张态势。

NAND Flash 价格暴涨的核心逻辑，在于供给端的主动收缩与需求端的超预期爆发形成的「强剪刀差」。供给端来看，经历 2022-2024 年连续三年的产能过剩后，全球存储芯片龙头企业（如三星、SK 海力士、铠侠）从 2025 年初开始集体调整产能策略：一方面大幅削减 128 层以下旧世代 NAND Flash 产线的资本开支，另一方面将更多产能转向 176 层、232 层等新一代 3D NAND 技术。据 TrendForce 统计，2025 年全球 NAND Flash 总产能同比下滑 15%，其中传统消费级存储芯片产能收缩幅度达 25%。更关键的是，头部厂商通过「控量保价」策略主动减少现货市场投放，将更多晶圆优先供应给长期合约客户，直接导致市场流通货源锐减。

需求端的「井喷」则远超市场预期。AI 革命的深化成为核心驱动力：AI 服务器对高速大容量存储的需求较传统服务器增长 5-8 倍——单台 8 卡 AI 服务器需配置 2Tb 以上的企业级 SSD，而全球 AI 服务器出货量 2025 年预计同比增长 120%；智算中心的算力集群建设中，存储容量需求随算力规模呈指数级增长，仅国内头部云厂商 2025 年新增存储采购量就达 10EB（1000 万 Tb）；消费电子领域，手机厂商为应对 AI 大模型本地化需求，将旗舰机型存储配置从 128Gb 普遍提升至 512Gb 甚至 1Tb，带动手机用 NAND Flash 单机用量增长 3 倍。

随着 AI 产业推动存储需求快速上升，三星与 SK 海力士已经开始敲定具体的 NAND Flash 扩产方案。业内消息称，三星与 SK 海力士都计划在今年第 2 季度推进最尖端 NAND 的「转换投资」。

三星在 2024 年 9 月就已启动 280 层 V9 NAND 量产，但目前产能仍然很小，月产大约只有 15000 片晶圆左右。当时，三星考虑到市场需求不足，只在平泽园区部署了初期量产线。

三星接下来准备从今年第 2 季度开始扩大 V9 产能，重点放在中国西安的 X2 产线。目前西安 X2 仍主要生产 6 至 7 代旧款 NAND，而邻近的 X1 产线向第 8 代 NAND 的转换基本已经完成。业内正在讨论的转换投资规模约为月产 4-5 万片晶圆。按照设备导入节奏，V9 NAND 预计从明年起正式进入量产加速阶段。

半导体业内人士表示，三星原本打算在第 1 季度启动西安 X2 的 V9 转换，但日程推迟到第 2 季度。同时，平泽第 1 园区（P1）也在准备相关投资，因此明年 V9 产品的生产占比可能会明显提高。

SK 海力士方面同样在推进先进 NAND 扩产。SK 海力士计划在今年第 2 季度启动 321 层第 9 代 NAND 的转换投资，目标是在清州 M15 确保月产约 3 万片晶圆的 V9 产能。与目前约 2 万片晶圆的水平相比，这次扩产力度相当大。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。