尼康为什么不自研CMOS？

因为尼康自己研发过啊！如果自己研发(别家代工)性能好，就用自己的，采购在其他厂商定制的性能好，就采购别家的就是啦。

2003年7月，尼康正式发布D2H。随着D2H的推出，尼康宣布了自主开发的新型JFET影象传感器：LBCAST。
LBCAST(Lateral Buried Charge Accumulator and Sensing Transistor array)与传统的CCD不同，它的特征为在每个像素中包含(被嵌入)感光元件以及检测用的晶体管(JFET，Junction Field Effect Transistor，结合型电场效果晶体管)，由此，能够将每个像素中的电荷增幅取出。
通常CMOS中的用于提取像素数据的晶体管中采用的是MOSFET，而LBCAST中的检测晶体管则是JFET(Junction Field-Effect Transistor：结合型电场效果晶体管)，每个像素中都包含一对电荷积累部分(即感光元件)与检测放大用的JFET晶体管，其每个像素即可实现将电子转换为电荷的功效，并且实现放大作用。
尼康声称，与CMOS相比，LBCAST暗电流特别少，可以有效抑制暗部噪声。另一方面，像素信号乃双通道同时提取，可以实现高速处理。在结构方面，摄像素子的布线构造比CMOS减少一层金属层，同时布线密度也比较低，层间连接孔(Contact Hole)也比较少。由此实现了结构简单、制造故障少、成品率高等等目标。另外据尼康声称，由于采用LBCAST技术，具有省电效应，可以实现比D100(610像素CCD)多拍摄1.5倍的拍摄能力。由于它结构简单，可以采用与CMOS相同的制造工艺，可以预计将来制造成本可以大幅度降低。

尼康之前在图像传感器上一直用的挺杂的。

D2X/D2Xs APS-C 1240万像素 CMOS(索尼？)

D2H/D2Hs APS-C 410万像素 LBCAST(尼康自主研发)

D3/D700 全画幅 1210万像素 CMOS(尼康设计，瑞萨代工NC81338L)

D3X 全画幅2400万像素(索尼IMX028)

D3s 全画幅1210万像素(瑞萨代工NC81361A)

D4 全画幅1625万像素(瑞萨代工NC81366W

D5 全画幅2082万像素旗CMOS(东芝T4K54)

Nikon 1系列的传感器由Aptina制造

前面这些都比较遥远了，像瑞萨/东芝的传感器业务被索尼收了。看看现在尼康产品线。

尼康Z9/Z8 (IMX609)

尼康Z7/Z72(IMX309) 源自D850

尼康Z63(IMX820)

尼康Z6/Z62/Zf/Z52(IMX410)

尼康Z50/Z30/Zfc/Z502(IMX321)源自D500

IMX609/IMX309/IMX321应该是尼康独占定制传感器，并未看到其他家采用(包括索尼)

IMX820抢了个首发，早于松下，索尼半导体可能想把IMX820打造成新的爆款“IMX410”

IMX410，劳模底，最早搭载该传感器相机的发布时间是这样的:

索尼A7M3‌：2018年2月27日

‌尼康Z6‌：2018年8月23日

‌松下S1‌：2019年2月27日

公版IMX410，索尼首发，从A7M4开始，索尼开始定制传感器，比如3300万像素背照式(IMX554)，那么公版IMX820就是改尼康首发。索尼A7M5定制3300万像素部分堆栈式。

索尼在中端全幅开始私定，需要高销量来支撑，A7M3时候 索尼 尼康 松下 甚至适马徕卡，来分担IMX410巨大的量，摊薄成本。

A7M4开始私定，那么IMX554压力就要索尼自己消化，A7C2 FX2都是这类产物，索尼其他独占底，也是如此，比如1200w那块FX3 A7S3 ZV-E1。

可以预见 A7C3 FX2二代 铁定上A7M5的底分担压力。

同样尼康松下等吃下IMX820 ，也要不断换壳出新机器，比如Zf2 Z53 S5M3等等