三星 Galaxy S26 FE再曝，8GB+128GB起步 价格上涨

按照爆料中的说法，三星Galaxy S26 FE，128GB版本或售799 欧元（约合人民币6187元）、256GB或售 899 欧元（约合人民币6961元）、512GB或售1099 欧元（约合人民币8510元）。

目前，相关的产品细节规格信息也已经公布。

这款新机已经现身了GeekBench跑分。其在GeekBenc 6.2.2 版本中，单核成绩为2426 分，多核成绩 8004 分。跑分列表显示，其搭载了 10 核 Exynos 2500 芯片，配备 8GB RAM 内存。

还有爆料中展示了 Galaxy S26 FE的渲染图。

结合图片来看，全新的三星Galaxy S26 FE目测采用立边中框，结合垂直排列的镜头组件和平直背板设计，整体设计风格与 Galaxy S26一致。

另外，最近几年，三星一直在推动自家Exynos芯片搭载到更多三星旗下产品中。在这样的规划下，三星Exynos芯片也在持续升级。

一份新消息中提到，三星自研 Exynos 2700 芯片主频可能突破 4.00GHz 频率门槛，目标峰值为 4.20GHz。

按照爆料中的说法，在三星 2nm GAA 工艺下，三星 Exynos 2600 芯片主频最高可以达到 3.9GHz。而三星在改善 SF2P 良率后，Exynos 2700 芯片的目标主核频率为 4.20GHz。

关于这颗芯片，以往的消息还显示，三星计划调整 Exynos 2700 芯片的封装方案，通过分离 DRAM 和 SoC 来改善散热。

消息称三星 Exynos 2700 芯片将会采用 SBS 封装方式，而苹果即将推出的 A20 Pro 芯片将采用 WMCM 封装方案，两者在实现方式上基本相同。结构方面，SBS 并排布局内存与 SoC，散热器直接覆盖在并排的 RAM 和 SoC 上方。这种结构能有效避免热量在内部聚集，从而实现更高效的散热表现。

同时，新架构还将显著提升内存性能。由于 RAM 与 SoC 的物理距离缩短，数据传输路径更加紧凑。据报告显示，这一设计有望将内存带宽提升 30% 至 40%。

与此同时，最近的一份消息中展示了三星最新 2nm 制程路线图。参考IT之家的消息来看，三星代工（Samsung Foundry）目前公布了至少 6 款 2nm 工艺：

SF2（第一代）：三星已经于 2025 年量产，首款采用该工艺的芯片是 Exynos 2600，装备在 Galaxy S26、Galaxy S26+ 和 Galaxy Z Flip8 机型上。

SF2P+（第三代）：预估 2027 年量产

SF2X（第四代）：主要优化 AI 算力和高性能计算，预估 2028 年量产，主要面向服务器和数据中心使用的 AI 加速器。

SF2A（专注于汽车领域）：于 2024 年发布，但未出现在 2026 年路线图中

SF2Z（采用背面供电网络 BSPDN 技术）：于 2024 年发布，但未出现在 2026 年路线图中

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