iPhone18Pro 或混用 TLC 与 QLC 闪存，对用户体验有何影响？
无知的人太多.
- iPhone 在 iOS 26 以前基本没有 SWAP, 现在有, 但相比于安卓这边动不动宣称什么 12+12, 12G iPhone 的封顶 SWAP 也就700MB不到, 按照1:3的压缩倍率来看, 差不多 2 个G
- SWAP 这玩意虽然被叫做虚拟内存, 但实际上读写频率并不高, 特别是进 SWAP 的应用基本都是被 LRU 丢进去的; 把 SWAP 想象成内存一样频繁访问, 那基本就是计算机民科
- 2026年还能说出「iOS的墓碑机制」, 基本就是纯计算机民科; iOS 当然会杀后台, 只不过会先来低内存广播让应用回收基于缓存目的的 dirty page, 开发者只要实现标准+低内存事件处理的到位, 就不容易逼系统杀后台
- 有一种东西叫做分区存储, 也就是对于 SQLite 之类的应用数据库, 频繁写入的日志, 强制高耐磨 pSLC 分区; 照片等媒体进入长期储存的 QLC 块, 这个 Zoned UFS 早在 Pixel 10 Pro 1TB 美版就上线了, 美国之外就还是传统 TLC
- iOS 对分区存储已经有了非常多的预先支持, 比如 ProRes 内录就需要整理碎片从而给 pSLC 腾出空间, 三方录制软件也是如此, 哪怕你有 512G 存储 50% 可用, 能暴露出来让你低功率写入的只有 8%(相当于 24%). 原因就是 pSLC 写入发热更小
另外科普一个小知识, 之所以苹果要给 iPhone 上 ProRes 硬件编码, 是因为 ProRes 作为帧内编码, 编码开销比 HEVC 更低, 但是存储写入量较大, 导致发热还是一个问题.
但如果外部存储本身直写能顶住速度, 且散热不掉链子, 那基本就是显著分担了机内的发热, 所以像是 ProRes 4:3 OpenGate 高帧率仅限外录.
顺带一提, 索尼的CFA高价卡基本就是全盘 pSLC+大 OP, 比如说 256GiB TLC NAND 常见消费级会开成 250-256GB, 把 GiB 多出来的部分当 7-10% 的OP, 而如果做成 80G pSLC 的话, 那就是 13% OP+本身模式带来的高耐用性.
话说回来就是, 苹果上 QLC 约等于是要上自己的 Zoned FS.
如果看 Pixel 这边的话, 他们现在得出的结论是 ZUFS 大概能提升 40% 的使用寿命, 并且这还是在显著提升性能和能效的前提下.
因为传统存储都是主控在猜系统/用户在干什么, 比如说你给一个 1TB 的 SSD 里面突然导入上百 GB 文件, 还是能跑满带宽的那种.
放一般主控的理解就是, 设固定比例或者全盘做 pSLC, 然后写满之后触发 pSLC-MLC 的写回和 MLC 的直写(M可以是2-4).
那这种设计下就是刚开始鸡血性能, 然后后面突然断崖式下降.
关键是 FTL 表的粒度非常细, 导致不得不借助 DRAM 或者 HMB 技术去放, 这会增加成本和功耗.
全盘 pSLC 还会把盘均匀磨一遍 P/E, 再加上写回, 等于这样的写法对盘的寿命是最不友好的, 所以传统主控策略就是磨损到一定程度后会限制最大 pSLC 的分配范围.
注意不是禁用 pSLC, 因为 pSLC 能容忍的 PE 高几个数量级. 但总之, 这样的做法肯定不完美, 而且复杂度高.
所以 ZUFS 解决的问题就是, 不再用传统的细粒度 FTL, 而是直接利用 F2FS 的特性实现 Zoned FS, 短生命周期数据进 pSLC热区, 长周期数据写进 QLC 冷区. 不需要主控挂一个巨大的 FTL 在 DRAM 里面, 基本交给操作系统来控制策略.
这样就不怕断周期的频繁读数据写坏, 还降低功耗, 而长周期数据基本不会怎么动, 正好利用 QLC 的成本优势.
要知道专门为 QLC 设计的 NAND 是可以做到 2Tib/Die 的, 而典型的 TLC NAND 是 1Tib, 封装层数少了也能降低成本减小体积. 至少 2TB 的 17 Pro Max 的 NAND 还要比 1TB 大一圈就是这个原因.
当然 QLC 也不一定只封 8颗 2Tib 去做 1TB, 比如它可以封 9颗, 这个情况下 cell 数量还是比传统 1Tib 少两成, 但多出来的部分做 pSLC OP的话就能大大改善满盘下的性能.
在现在 NAND 的高成本下, 大容量盘节约 20%+ 能省的钱应该是非常显著的, 一台能省下十几二十刀, 特别是我听说最近 iPhone 17 Pro Max 1TB 在国内其实还是有缺货情况. 现在 ZUFS 这边已经基本验证 QLC+ZUFS 能同时提升寿命和性能, 那真的是 QLC+ZUFS>TLC 了.