2U服务器如何做到9.8PB容量？

如果以30TB的HDD来计算，2U 12盘位的存储服务器提供容量大概为360TB左右，但如果用上基于第八代BiCS FLASH™ QLC的铠侠LC9系列，2U服务器上限可以做到接近10PB，这样的差距非常明显，那么问题来了，2U服务器搭配SSD的存储上限是如何被突破的？

先从闪存入手

容量突破自然先从闪存芯片入手，铠侠第八代BiCS FLASH™ QLC是铠侠在3D NAND闪存技术路线上的重要里程碑，也是为2U服务器构建出超高规模存储容量的核心基础。

第八代BiCS FLASH™特征可围绕架构创新、容量密度、性能能效与封装形态展开。其采用218层垂直堆叠架构，并首次大规模引入CBA技术（CMOS直接键合阵列），将CMOS外围电路晶圆与存储单元阵列晶圆分别在各自最优的工艺温度条件下独立制造，再通过晶圆键合完成集成。

这样的设计避免了传统CAN和CUA架构中连接CMOS与存储阵列的布线开销，同时让外围电路与存储单元都能在最佳热预算下工作，也让CMOS与存储阵列有了更多发挥的空间。

以存储阵列为例，第八代BiCS FLASH™ QLC提供两种单Die容量，2Tb QLC是目前为止业界最大的QLC闪存颗粒之一，其位密度达到18.3 Gb/mm²，相比第五代BiCS FLASH™ QLC提升约2.3倍。另外1Tb QLC版本读取延迟还能再改善约15%，主要用于客户端SSD及移动设备。

接口方面，第八代BiCS FLASH™实现了3.6 Gbps的接口传输速率，为后续PCIe Gen5/Gen6 SSD及高性能移动存储提供了物理层基础。这也是第八代BiCS FLASH重要原因之一。

CMOS与存储阵列键合之后，单封装内堆叠技术也非常重要。第八代BiCS FLASH™ QLC支持业界领先的32-die堆叠封装技术，单封装容量可达8TB，这种高集成度为数据中心E3.S/E3.L形态的高密度SSD及紧凑型移动设备提供了物理空间优势。

将245.76TB装入LC9 E3.L

拥有了第八代BiCS FLASH™ QLC，接下来就是变成SSD量产品的问题。2U服务器实现超大容量也要从SSD的存储形态上入手，EDSFF成为了行业内备受关注的新标准。EDSFF（Enterprise and Datacenter Standard Form Factor）是面向企业与数据中心的标准化SSD形态家族，包含E1.S/L与E3.S/L等规格，旨在取代传统2.5英寸盘，以更高存储密度、更优散热与PCIe信号完整性满足现代服务器存储需求。

其中，E3.L是EDSFF标准家族中的长尺寸规格，与E3.S相比，E3.L在保持相同宽度与接口兼容性的前提下，拥有更长的板身空间，从而能够容纳更多NAND闪存封装颗粒。铠侠LC9 E3.L版本是最具标志性的规格之一，也是实现245.76TB业界最大单盘容量的关键载体。

LC9 E3.L形态之所以能支撑245.76TB，核心在于铠侠在有限物理空间内实现了闪存封装密度的极致压缩。在采用第八代BiCS FLASH 2Tb QLC NAND前提下，每个BGA封装内完成32颗Die堆叠，单颗封装容量达到8TB，同时E3.L更长的板身允许搭载更多颗8TB封装，最终叠加出245.76TB总容量。

不仅如此，铠侠LC9还做到对PCIe 5.0，NVMe 2.0、NVMe-MI 1.2c规范支持，并具备双端口支持服务器及高可用存储系统架构。除了E3.L版本，铠侠LC9还具备E3.S、2.5英寸规格版本。

铠侠LC9 E3.L版本做到了在标准32盘位E3.L背板配置下，单台2U服务器可实现8PB以上闪存容量；若采用40盘位背板，更可逼近10PB。若以传统30.72TB SSD构建同等容量，需要额外7台服务器、280块硬盘，功耗增加约8倍，机架空间占用也大幅上升。

除此之外，铠侠LC9系列还具备多种关键企业级SSD特性，包括FDP（Flexible Data Placement），灵活数据放置，降低写入放大，延长QLC寿命。0.3 DWPD针对读取密集型AI推理优化，支持多种安全算法，并面向后量子密码学标准设计，采用芯片级恢复、基于奇偶校验的错误管理、掉电保护。

因此，铠侠LC9 E3.L并非简单的加长SSD，而是铠侠通过32-die堆叠8TB封装与E3.L物理空间的精准匹配，在标准EDSFF框架内实现了单盘245.76TB的容量突破，成为当前AI基础设施中以盘代柜的高密度存储标杆。为生成式AI数据湖、LLM训练数据集存储、RAG（检索增强生成）推理流水线、大规模冷、温数据归档提供稳定的存储保障。