对一个文件的同一字节快速反复读写容易把固态硬盘写坏吗?

有人提了写放大，我从硬件的角度来说说，写放大这玩意的影响可能比很多人想的要大的多。

闪存存储有一个比较奇怪的特性：每个bit可以从1变成0，但是不能反过来，比如闪存里某一个字节的原始状态是0xFF，那么是可以写成0x5A的，但是0x5A再写成0xFF就不行了。

所以，测试闪存性能和寿命，有一个最直接也是最暴力的写法，反复写0x55 + 0xAA，这会大幅度缩减闪存存储的性能。

闪存的另外一个特性是：擦除的最小单元和写的最小单元不一致，通常来说，擦除（把所有字节重置成0xFF）是以块(block)为单位的，块一般是128KB到256KB之间。写的最小单元是页(page)，页的大小一般是1K/2K/4K这种大小。

闪存驱动一般提供三个接口：

写（write，有的地方叫做program接口）接口：允许把某一个page的内容从1写到0，但是不能反过来写。

读（read）接口：读一个page，不限制范围。

擦除（erase）接口：把一整个block的内容重置成0xFF。

所以，如果反复对一个字节写0x55-0xAA-0x55-0xAA，就会频繁触发闪存的擦除动作，也就是一次PE，对于这种操作，FTL都无能为力，因为很快就会消耗完一个block里干净（全是0xFF）的page。比如，一个底层是128K/2K型号的NAND，对一个page反复写64次（前提是要绕过缓存），就会触发block的一次PE，从应用层上看，只写了64字节。

对于FTL设计的不够好的主控，反复写55-AA会很容易把闪存搞崩掉，前期的表现是掉速。我早些年对于一个 128G的NvME，反复整盘写55-AA几十次以后，读盘速度就从GB掉到200M左右。当然，当年的nvme的主控也比较一般。

更极端的办法是，把闪存的空间使用率提高一些，比如先写满95%的数据，然后再对剩余的5%的空间反复写55-AA，就会频繁触发块迁移的动作，对于闪存的寿命影响极大。