哪些微单用了背照式、堆叠式CMOS（26-6-15）

在上一篇文章里（戳这里查看），我们讲解了几种先进传感器的结构特点。看起来大家还是更关心具体型号的相机使用了何种传感器，所以赶紧加更一篇。

* 其实之前没有“全堆叠”这个概念，只是为了和部分堆叠式区分才这么说。

索尼

全堆叠传感器：α7R VI、α9系列、α1系列

- α9 III实现了全域快门

- α9 / α9 II / α1 / α1 II的传感器内置DRAM

- α7R VI相对基础，没有存储器

部分堆叠式传感器：α7 V

背照式传感器

- 全画幅：α99 II、ZV-E1、FX2、FX3系列、α7C、α7C II、α7III、α7 IV、α7S III、α7R II、α7R III、α7R IV、α7R V等（扩展到固定镜头相机还有RX1R II和RX1R III）

- APS-C画幅：α6700、ZV-E10 II、FX30

目前，索尼在售微单里，应该只有ZV-E10还是前照式CMOS。

▲ 带DRAM的全堆叠式CMOS（左）和全域快门全堆叠式CMOS（右）

佳能

佳能绝大多数可换镜头相机仍在使用前照式CMOS，微单里没有背照式或部分堆叠式，只有少数旗舰产品配备全堆叠式CMOS。

不过，佳能的前照式速度也很快，12bit下的滚动快门可以媲美部分堆叠式+14bit的性能。

全堆叠传感器：EOS R3、EOS R5 Mark II、EOS R1

▲ 佳能自研资产的全堆叠式CMOS

尼康

- 全堆叠式传感器：Z8、Z9

- 部分堆叠式传感器：ZR、Z6 III

- 背照式传感器：D850、Z5II、Z6、Z6II、Zf、Z7、Z7II

目前，尼康在售微单里，Z30、Z50、Z50II、Zfc、Z5仍在使用前照式CMOS。

▲ 尼康ZR、Z6III的部分堆叠式CMOS概念示意图

富士

富士的产品非常多，咱们主要看有效像素。

- 44×33中画幅约1.02亿像素是背照式CMOS，相当于全画幅约6000万像素的放大版。

- X-H2S是目前唯一采用全堆叠式CMOS的APS-C画幅微单，传感器没有内置DRAM。

- APS-C画幅约2600万像素（除X-H2S），及约4000万像素均为背照式CMOS。

▲ 富士X-H2S的全堆叠式CMOS示意图

松下

- 全画幅系统里，S1M2是部分堆叠式CMOS、S1R是前照式CMOS，其他产品（S9、S5系列、S1、S1H及衍生物、S1M2E、S1RM2）均为背照式CMOS。

- 4/3画幅系统里，GH5S及衍生物、G9M2、GH6、GH7采用背照式CMOS（扩展到固定镜头相机还有L10），其他为前照式CMOS。

▲ 松下S1M2的部分堆叠式CMOS

奥之心/奥林巴斯

OM-3系列、OM-1系列采用全堆叠式CMOS，其他产品为前照式CMOS。

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