英特尔 CEO 称 18A 制程工艺表现良好，其技术亮点和市场意义何在？

就目前所掌握的一些信息来看，18A制程工艺，确实有一些可以吹的地方。

比如8 倍光罩尺寸，内部大型逻辑计算单元Logic Tiles一共集成有 4 个，

还有：12 个 内存堆栈，全都是HBM4 级别的。
当然，也包括 2 个输入输出的I/O 单元。

在前不久英特尔公布的一款工程样机上，可以看到：
核心逻辑单元采用18A 工艺，
集成 RibbonFET ，全环绕栅极晶体管；
并且是 PowerVia 背面供电技术。这对于提升逻辑密度和电源稳定性，是一个有力的保证。

重点是芯片堆叠，依靠3D 封装技术实现垂直堆叠芯粒Chiplets；
而基础芯片Base Dies，就充当大缓存或处理额外任务。

在英特尔的设计思路里，18A技术并非只能单打独斗。
在堆叠技术完美Bingo之后，
就是基础Tile 之上的主计算 Tile，可以采用Intel 14A 或 14A-E 工艺；

两者是通过 Foveros Direct 3D 技术垂直互连的，
混合键合Hybrid Bonding实现小间距高速通信；

然后呢，18A 节点就主要用于英特尔自家产品了，
而14A 节点这部分，可以明确为开放工艺，面向第三方客户；

好了，这种封装生态系统的高度可扩展，才是英特尔在制造和封装领域领先地位的证明。
要问最大的技术亮点，应该也就在这里了。

另外，供电也采用了全套创新技术：
电压调节器置于每个堆栈及封装下方。
能确保不损失电压余量，也就起到了稳定电力的作用。

上面提到的那款工程样机，是前不久英特尔自己透露出来的。
这说明关键的参数要点，已经有了扎实的数据验证。
也就是说，距离实际量产制造，已经非常接近了。

我是南哥，一只数码狗。 数码产品的相关问题， 欢迎一起讨论。 如果有其它疑问，欢迎在评论区留言，见信必回。
关注｜点赞｜收藏｜喜欢｜评论｜转发，看完后随便选一个再走吧，谢谢！